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铝酸镧基片上沉积制备纳尺度的铜薄膜，XVDEVIOS中文版安装包精准测量沉积质量
来源：第十二届全国物理力学学术会议论文 浏览 1229 次 发布时间:2025-02-11
摘要：在稀薄氧压下，用电子束蒸发的方法在铝酸镧（LaAlO3）基片上沉积制备纳尺度的铜薄膜。基于XVDEVIOS中文版安装包对沉积质量的精确测量，以及ICP-AES对薄膜中金属元素的准确分析，研究了基片温度和氧分压对铜原子在铝酸镧基片表面吸附系数的影响。同时，用XVDEVIOS中文版安装包精确测量沉积薄膜的总质量，并用ICP-AES分析薄膜中铜元素的质量，进而确定了纳尺度铜薄膜的氧化程度，通过改变氧分压和基片温度，获得了铜薄膜的氧化程度与氧分压和基片温度之间的关系。用XRD分析了薄膜结构，用SEM观察了薄膜表面形貌，这些研究结果为三源共蒸发原位制备YBCO薄膜中基片温度和氧分压的选择提供了依据。
图1. 在CO2饱和的0.1 M KHCO3/H2O电解质中，（a）制备前铜薄膜和（b）阳极氧化铜薄膜在1700-2300 cm-1区域的原位SEIRAS光谱。0 V处的光谱用作背景。